• Наука
  • Технологии
  • Моделирование
  • Космос
  • Концепции
  • Hardware
  • Сети
  • Приложения
Home Технологии Intel перейдет на квантовые транзисторы

Intel перейдет на квантовые транзисторыВ этом месяце исполнилось 50 лет знаменитому закону Мура. По мнению компании Intel, этот закон будет оставаться актуальным ещё как минимум 10 лет. Но как удастся этого достичь? Известный в узких кругах аналитик полупроводниковой отрасли Дэвид Кантер (David Kanter) на страницах своего издания Real World Technologies опубликовал свой прогноз о планах Intel по совершенствованию производственных процессов.

Real World Tech

Real World Tech

Будущее кремниевых микросхем уже давно ставится под сомнение. Дальнейшее масштабирование техпроцессов становится всё более сложной задачей. Токи утечки стали серьёзной проблемой для разработчиков чипов. К счастью, благодаря новым материалам и архитектурам транзисторов удалось на время обойти эту проблему. В 45-нм процессорах Intel впервые были использованы High-K диэлектрики и металлические затворы, а в 22-нм чипах Intel впервые применила FinFET. Такую же технологию взяла на вооружение и Samsung (Exynos 7420 в GalaxyS6), а TSMC интегрирует её в производство в текущем году. И всё же FinFET также не является ключом к решению всех проблем. Разница между 20- и 28-нм чипами по производительности является не столь очевидной, а рост цены в связи с добавлением новых производственных этапов оказался существенным. Отрасль нуждается в решении новой задачи, которая позволит ещё на несколько лет продлить закон Мура — создание транзистора с высокой производительностью при напряжении питания ниже 0,7 В.

Real World Tech

Real World Tech

Дэвид Кантер попытался спрогнозировать, каким направлениям Intel уделит больше всего внимания. По его мнению, отрасль будет переходить на так называемые Quantum Well FET (QWFET) транзисторы, которые смогут поддерживать высокое быстродействие при напряжении питания порядка 0,5 В. В качестве материалов для каналов QWFET n-типа, скорее всего, будут приняты составные полупроводники III-V типа In0,53Ga0,47As. Для каналов p-типа разработчики остановятся на напряжённом германии или (что менее вероятно) материалах III-V типа. Также Дэвид уверен, что Intel примет на вооружение QWFET уже для своего 10-нм техпроцесса, который будет запущен в производство в конце текущего или начале следующего года. Остальные же производители внедрят QWFET не раньше перехода на 7-нм нормы. Также не исключена вероятность, что Intel представит так называемые гибридные решения, которые объединят традиционные транзисторы и QWFET.

Сама Intel пока широкой публике не разглашает ход работ в этом направлении, но эксперты полагают, что именно над этим она сейчас интенсивно работает. В последние годы на некоторых специализированных конференциях компания упоминала об экспериментальных результатах применения QWFET.

Александр Будик
Источник: 3dnews.ru

Добавьтe Ваш комментарий

Ваше имя (псевдоним):
Комментарий:
 

Материалы по теме

Как сделать потолок из гипсокартона. Как сделать подвесной потолок в доме. Какой потолок лучше сделать. Отделка ванной комнаты. Быстрая отделка ванных комнат панелями. Отделка ванной комнаты пластиковыми панелями. Кровля крыши профнастилом. Качественные материалы для кровли крыш. Крыша из мягкой кровли. Самоделки для сада. Успешные самоделки для сада своими руками. Самоделки для сада и огорода. Ванная мебель для ванной комнаты. Купить мебель для ванных комнат недорого. Заказ мебели для ванной комнаты. Бизнес малое производство. Самый малый бизнес идеи производство. Новый бизнес производство. Монтаж дверей своими руками. Быстрый монтаж входных дверей. Легкий монтаж пластиковых дверей. С чего начать ремонт квартиры. Быстрый ремонт дома с чего начать. Ремонт своими руками для начинающих.

3D Модели

Просмотры материалов : 2810216